JOB ID | 15228 |
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企業名 | 株式会社QDレーザ |
メインキャッチ | ※川崎:半導体レーザ MBE(分子線エピタキシー)エンジニア≪QDレーザ≫ |
職種 | その他エンジニア【機械・電気・電子・半導体・制御】 |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 年収 643 ~ 841 万円 |
勤務地 | 神奈川県川崎市川崎区南渡田町 |
応募資格 | 【必須条件】 ・MBE 結晶成長装置を用いたウェハの開発経験 ・MBE 結晶成長装置の稼働やメンテナンス経験 ・MBE 成長に関するメカニズム等の知識 ・エピタキシャル積層構造設計、評価、解析についての経験・知識 ・III-V 族化合物半導体(GaAs、InAs 等)についての知識、経験 ・III-V 族化合物半導体による半導体レーザの基礎知識 ・ビジネス英会話(目安:TOIEC 600 点以上) |
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