※川崎：半導体レーザ MBE（分子線エピタキシー）エンジニア≪QDレーザ≫
■お薦めpoint
半導体レーザ MBE（分子線エピタキシー）エンジニア
・年収643.5～841.5万円
・新川崎本社（転勤なし）
・年休126日（土日祝）
◎東京証券取引所グロース市場上場企業
株式会社QDレーザは、2006年4月 富士通株式会社と三井物産株式会社のベンチャーキャピタル資金を活用し、
富士通の量子ドットレーザ技術にもとづく光デバイスのベンチャー企業として設立しました。
設立以来、量子ドットレーザ技術の先駆者として、
通信・産業・医療・民生用の広い分野で新しい半導体レーザソリューションを市場・顧客に提供しています。
募集要項
| JOB ID | 15228 |
|---|---|
| 職種カテゴリー | その他エンジニア【機械・電気・電子・半導体・制御】 |
| 仕事内容 | ■お薦めpoint 半導体レーザ MBE（分子線エピタキシー）エンジニア ・年収643.5～841.5万円 ・新川崎本社（転勤なし） ・年休126日（土日祝） ◎東京証券取引所グロース市場上場企業 株式会社QDレーザは、2006年4月 富士通株式会社と三井物産株式会社のベンチャーキャピタル資金を活用し、 富士通の量子ドットレーザ技術にもとづく光デバイスのベンチャー企業として設立しました。 設立以来、量子ドットレーザ技術の先駆者として、 通信・産業・医療・民生用の広い分野で新しい半導体レーザソリューションを市場・顧客に提供しています。 ■募集要項 ……━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━…… 半導体レーザ MBE（分子線エピタキシー）エンジニア ……━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━…… ・MBE 装置によるデータ通信や LiDAR 用 1.3μm 帯量子ドットおよび加工・バイオメディカル用 1μm 帯量子井戸のエピ技術開発 （具体的な業務は以下）。 [1] 1.3μm 帯量子ドット：InAs 量子ドットの更なる特性改善のため高利得化や長波長化。 成長条件・成長方法の提案、エピ実施および特性確認による高性能量子ドットの開発 [2] 1μm 帯量子井戸：1020-1180nm InGaAs 量子井戸を用いた半導体レーザの更なる高出力化 ・高信頼性のための高歪系のエピ開発 ・ウェハ積層構造設計、評価、解析業務 ・MBE 装置の維持・管理 ・顧客からの問合せに対する技術対応 【募集背景】 当社は世界で初めて量子ドットを採用した 1300nm 帯半導体レーザを量産した会社で、 MBE（分子線エピタキシー）装置による当社独自の結晶成長技術により世界最高峰の量子ドットを実現しております。 量子ドット結晶成長は、これからの超情報化社会における通信の大容量化、高速化、低電力化を実現するシリコンフォトニクスの核となる技術です。 またその優れた結晶成長技術を量子井戸に展開し、加工用 1020-1180nm DFB レーザやバイオメディカル用 532-594nm 小型可視レーザを製造しております。 今後ビジネスを拡大する上で、量子ドットおよび量子井戸レーザの高出力化、 波長域拡大などの結晶成長技術開発業務を担うプロフェッショナルなエピエンジニアを募集いたします。 【配属先】 レーザデバイス事業部 |
| 勤務地 | 神奈川県川崎市川崎区南渡田町 |
| 勤務地詳細 | 本社 |
| 交通手段 | JR鶴見線/南武線「浜川崎駅」より徒歩5分 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 年収 643 ～ 841 万円 |
| 給与備考 | 想定年収643.5～841.5万円程度 ※経験等による 想定年収：643.5 万 ＜月額：390,000（基本：286,788＋時間外相当：103,212）×16,5＞～ 841.5 万 ＜月額：510,000（基本：375,031＋時間外相当：134,969）×16.5＞ ※「時間外相当」は、時間外勤務の有無、多少にかかわらず確実に支給されます。 |
| 勤務時間 | ＜労働時間区分＞ フレックスタイム制（フルフレックス） 休憩時間：60分（12:00～13:00） 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8:40～17:30 |
| 待遇/福利厚生 | 【社会保険】雇用、厚生、健康、労災 完備 【諸手当】通勤交通費上限：100,000円（非課税限度額）、賞与：年二回/昇給：年一回 |
| 受動喫煙を防止する措置 | 敷地内禁煙（加熱式たばこ専用喫煙室あり） |
| 休日/休暇 | 年間休日日数126日 ・完全週休2日制（休日は土日祝日） ・年間有給休暇10日～20日 （下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります） |
| 応募資格 | 【必須条件】 ・MBE 結晶成長装置を用いたウェハの開発経験 ・MBE 結晶成長装置の稼働やメンテナンス経験 ・MBE 成長に関するメカニズム等の知識 ・エピタキシャル積層構造設計、評価、解析についての経験・知識 ・III-V 族化合物半導体（GaAs、InAs 等）についての知識、経験 ・III-V 族化合物半導体による半導体レーザの基礎知識 ・ビジネス英会話（目安：TOIEC 600 点以上） |
| 業種 | 半導体・電子・電気部品(メーカー) |
| 企業名 | 株式会社QDレーザ |
| 資本金 | 2,242百万円 |
| 会社設立日 | 2006年 4月 |
| 従業員数 | 50名 |
| 更新日 | （この求人情報は更新から454日経過しています） |
企業情報
| 紹介会社名 | 日総ブレイン株式会社 |
|---|---|
| 住所 | 神奈川県横浜市鶴見区豊岡町28-26 日総第一ビル |
| 事業内容 | ・人材派遣業（労働者派遣事業・厚生労働大臣許可番号 派14-020001) ・人材紹介業（有料職業紹介事業・厚生労働大臣許可番号 14-ユ-020011) ・委託事業 (社)日本人材派遣協会会員 (社)日本人材紹介事業協会会員 |
| 設立 | 1986年3月13日 |
| 資本金 | 5,000万円 |
| HP | https://www.nsbrain.jp/ |
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